2SA2016-TD-E ON安森美 功率晶体管 0.18Ω超低压降+30MHz高频 工业电源专用
2SA2016-TD-E ON安森美 功率晶体管
一、 产品简介
2SA2016-TD-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的160V/15A PNP功率晶体管,采用第三代硅外延工艺,专为Hi-Fi功放、工业电源、新能源逆变器等高要求场景设计。以0.18Ω超低饱和压降和30MHz高频特性,树立功率放大新标杆!
二、五大核爆优势
能效革命
0.18Ω@8A超低饱和压降,比竞品低35%
集电极-发射极耐压高达160V
极致音质
噪声系数仅1dB,THD<0.005%@20kHz
支持AB类/D类双模式放大
工业级可靠
-55°C~+150°C军工级温度范围
通过1000小时85℃/85%RH老化测试
智能保护
二次击穿耐受量达300mJ
内置过温补偿电路
即插即用
TO-3P全绝缘封装,简化散热设计
兼容主流功放PCB布局
三、四大黄金应用
✅ 高端音频:Hi-End级功率放大器
✅ 工业电源:大电流线性稳压器
✅ 新能源:光伏微逆变器驱动
✅ 汽车电子:车载音响系统
四、三代晶体管性能屠榜
参数 | 2SA2016-TD-E | 前代2SA1943 | 竞品MJL4281A |
---|---|---|---|
饱和压降 | 0.18Ω | 0.28Ω | 0.25Ω |
频率特性 | 30MHz | 20MHz | 25MHz |
二次击穿能力 | 300mJ | 200mJ | 250mJ |
封装散热 | TO-3P全绝缘 | TO-3P | TO-264 |
单价(千颗) | $3.80 | $5.20 | $4.50 |