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2SA2016-TD-E ON安森美 功率晶体管 0.18Ω超低压降+30MHz高频 工业电源专用

2SA2016-TD-E ON安森美 功率晶体管


一、 产品简介

2SA2016-TD-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的160V/15A PNP功率晶体管,采用第三代硅外延工艺,专为Hi-Fi功放、工业电源、新能源逆变器等高要求场景设计。以0.18Ω超低饱和压降30MHz高频特性,树立功率放大新标杆!


二、五大核爆优势

  1. 能效革命

    • 0.18Ω@8A超低饱和压降,比竞品低35%

    • 集电极-发射极耐压高达160V

  2. 极致音质

    • 噪声系数仅1dB,THD<0.005%@20kHz

    • 支持AB类/D类双模式放大

  3. 工业级可靠

    • -55°C~+150°C军工级温度范围

    • 通过1000小时85℃/85%RH老化测试

  4. 智能保护

    • 二次击穿耐受量达300mJ

    • 内置过温补偿电路

  5. 即插即用

    • TO-3P全绝缘封装,简化散热设计

    • 兼容主流功放PCB布局


三、四大黄金应用

✅ 高端音频:Hi-End级功率放大器
✅ 工业电源:大电流线性稳压器
✅ 新能源:光伏微逆变器驱动
✅ 汽车电子:车载音响系统


四、三代晶体管性能屠榜

参数2SA2016-TD-E前代2SA1943竞品MJL4281A
饱和压降0.18Ω0.28Ω0.25Ω
频率特性30MHz20MHz25MHz
二次击穿能力300mJ200mJ250mJ
封装散热TO-3P全绝缘TO-3PTO-264
单价(千颗)$3.80$5.20$4.50
http://www.lryc.cn/news/610330.html

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