NCV8402ASTT1G自保护N沟道功率MOSFET安森美/ONSEMI 过流过温保护汽车级驱动NCV8402ASTT1

NCV8402ASTT1G 是 安森美 （ON Semiconductor）推出的自保护N沟道功率MOSFET，采用 SOT-223 封装，是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

核心特性
‌    •保护功能‌：集成过流、过热、过压保护及ESD防护，支持自动重启热关断 ‌
•电气规格‌：
•漏源极电压：42V（最大）
•连续漏极电流：2A
•导通电阻：典型值165毫欧 ‌
•工作温度‌：-40°C ~ 150°C（结温） ‌
应用领域
车载充电器
电动汽车
太阳能
互联照明，主要用于汽车充电器、  太阳能及工业控制等场景
电气规格
‌    •漏源极电压‌：42V
‌    •连续漏极电流‌：2A
‌    •导通电阻‌：200mΩ（典型值） ‌
保护功能
‌    •过流保护‌：支持限流（固定）
‌    •过热保护‌：自动重启热关断
‌    •过压保护‌：集成式漏极-栅极箝位 ‌
工作温度
‌    •最低工作温度‌：-40°C
‌    •最高工作温度‌：150°C ‌
其他特性
‌    •输入类型‌：非反相逻辑电平输入
‌    •ESD保护‌：集成静电防护 ‌
该器件适用于严苛的汽车环境，符合 AEC-Q101 标准，支持双通道模式
特性：
1.短路保护
2.与自动重新启动热关断
3.过压保护
4.电压 - 负载：42V（最大）
5.电流 - 输出（最大值）：2A
6.导通电阻（典型值）：165 毫欧
7.输入类型：非反相
8.故障保护：限流（固定），超温，过压
9.集成钳位的电感开关
10.ESD保护
11.模拟驱动能力（逻辑电平输入）
12.NCV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
电源负载管理
作为电源负载开关，可实现路径管理功能，通过控制电路的通断来分配电力负载，适用于汽车电子系统中对电流、电压和温度敏感的模块。 ‌
过流/高温保护
内置过电流、高温及ESD（静电放电）保护机制，可防止因短路、过载或异常工作温度导致的元件损坏，提升汽车电子系统的可靠性。 ‌
漏极-门极箝位
集成漏极-门极箝位功能，可抑制过电压对器件的冲击，适用于高压场景下的电路保护。 ‌