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【硬件-笔试面试题】硬件/电子工程师,笔试面试题-16,(知识点:电平转换电路)

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【硬件-笔试面试题】硬件/电子工程师,笔试面试题-16,(知识点:电平转换电路)

这是一道大疆笔试题

1、题目

2、解答

本题主要考查不同电压等级的双向 LVCMOS IO 之间连接的相关知识。我们需要分析每个选项的可行性,从而选出正确的做法。

选项 A

3.3V 的双向 LVCMOS IO 和 1.8V 的双向 LVCMOS IO 逻辑电平不同,直接相连可能会导致以下问题:

  • 对于 3.3V IO 输出到 1.8V IO 输入的情况,3.3V 的高电平可能超过 1.8V IO 的最大输入电压,从而损坏 1.8V 的 IO。
  • 对于 1.8V IO 输出到 3.3V IO 输入的情况,1.8V 的高电平可能无法满足 3.3V IO 对高电平的要求,导致逻辑识别错误。所以不能直接相连,A 错误。

选项 B

使用分立器件(如 MOS 管、三极管等)或者集成逻辑电路(如专门的电平转换芯片)设计电平转换器,可以实现不同电压等级的双向 LVCMOS IO 之间的信号转换。电平转换器能够将 3.3V 的逻辑电平转换为 1.8V 的逻辑电平,同时也能将 1.8V 的逻辑电平转换为 3.3V 的逻辑电平,保证信号的正确传输,B 正确。

选项 C

采用电阻分压的方法,对于双向信号传输存在困难。因为电阻分压电路的阻抗特性可能会影响信号的传输质量,而且对于双向通信,难以同时满足两个方向上的电平转换要求,C 错误。

选项 D

设计一个放大器来连接,放大器主要用于信号的放大,而不是电平转换。放大器不能解决不同电压等级之间的逻辑电平匹配问题,D 错误。

综上,答案是B

3、相关知识点

本题主要考查不同电压等级的双向 LVCMOS IO 之间连接的相关知识,涉及到的知识点主要有 LVCMOS IO、电平转换等。下面将对这些知识点进行详细讲解:

一、LVCMOS IO

  1. 定义:LVCMOS(Low Voltage Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)IO 是低电压互补金属氧化物半导体输入输出接口。它是一种常用的数字电路接口标准,具有低功耗、高速、抗干扰能力强等优点。
  2. 工作电压:不同的 LVCMOS IO 可能具有不同的工作电压,如本题中的 3.3V 和 1.8V。工作电压决定了 IO 的逻辑电平,例如 3.3V 的 LVCMOS IO,通常高电平范围为 2.4V - 3.3V,低电平范围为 0V - 0.4V;1.8V 的 LVCMOS IO,高电平范围一般为 1.26V - 1.8V,低电平范围为 0V - 0.36V。
  3. 双向特性:双向 LVCMOS IO 意味着该接口既可以作为输入接口,也可以作为输出接口,能够实现数据的双向传输。

二、电平转换

  1. 定义:电平转换是指将一种电压等级的逻辑电平转换为另一种电压等级的逻辑电平,以实现不同电压域之间的信号传输。
  2. 必要性:当不同电压等级的数字电路需要进行通信时,由于它们的逻辑电平不匹配,直接连接可能会导致信号识别错误甚至损坏电路元件,因此需要进行电平转换。
  3. 实现方法
    • 专用电平转换芯片:市场上有许多专门用于电平转换的集成芯片,这些芯片通常具有双向电平转换功能,能够支持多种电压等级之间的转换,使用方便且可靠性高。
    • 分立器件设计:可以使用 MOS 管、三极管等分立器件来搭建电平转换电路。例如,利用 MOS 管的开关特性,通过控制栅极电压来实现不同电压等级之间的信号转换。这种方法需要一定的电路设计知识和经验,但成本相对较低。
    • 电阻分压:电阻分压方法在某些简单的单向电平转换场景中可能会被使用,但对于双向信号传输,电阻分压存在诸多问题,如阻抗不匹配、信号衰减等,一般不推荐用于双向 LVCMOS IO 的连接。
    • 放大器:放大器主要用于信号的放大,而不是电平转换。放大器不能解决不同电压等级之间的逻辑电平匹配问题,因此不能用于本题中的情况。

在实际应用中,为了实现不同电压等级的双向 LVCMOS IO 之间的可靠连接,通常会选择使用专用的电平转换芯片或设计基于分立器件的电平转换电路,以确保信号的正确传输和电路的安全。

电平转换电路是一种能够将一种电压等级的逻辑电平转换为另一种电压等级逻辑电平的电路,在涉及多种电源电压的数字电路系统中应用广泛,像不同芯片之间的通信、 嵌入式系统与外设连接等场景都离不开它。以下从其工作原理、常见类型、设计要点和应用场景来进行介绍:

工作原理

电平转换本质上是对输入信号的电压幅值进行调整,使其满足目标电路的逻辑电平要求。常见思路是利用半导体器件(如 MOS 管、三极管)的开关特性 ,通过控制其导通和截止状态,来实现电压的变换。以最简单的电阻分压式电平转换为例,它是基于欧姆定律,通过不同阻值电阻对输入电压进行分压,从而得到合适的输出电平,但这种方式一般只适用于单向、简单的电平转换,且存在诸如信号驱动能力变弱等问题。

常见类型⭐⭐

  • 基于 MOS 管的电平转换电路:利用 MOS 管的导通和截止特性实现电平转换。当输入为高电平时,控制 MOS 管导通,使输出连接到目标高电平;输入为低电平时,MOS 管截止,输出连接到目标低电平。这种电路结构简单、成本低, 可实现双向电平转换,并且能保持较好的信号完整性和驱动能力。

  • 专用电平转换芯片:如 TI 公司的 SN74LVC4245A 等,这类芯片集成度高,使用方便,性能稳定。通常支持多种电压转换组合,具备双向转换功能,还内置了诸如过压保护、 静电保护等功能,能有效保护电路。一些高速电平转换芯片,还可以满足高速信号(如 USB、LVDS 等)的电平转换需求。

  • 基于三极管的电平转换电路:利用三极管的放大和开关特性。当输入信号使三极管导通或截止时,输出端会相应地得到不同的电平。不过相比 MOS 管,三极管的输入输出阻抗特性较差,可能会对信号产生一定影响,在一些对信号质量要求较高的场合应用受限。

设计要点

  • 电压兼容性:确保电平转换电路能够适配输入和输出两端的电压范围,不仅要满足正常工作时的电平要求,还要考虑电源电压波动、瞬态电压等情况 ,避免出现电平无法正确转换或者损坏电路的情况。
  • 信号完整性:在转换过程中,要尽量减少信号的失真、延迟和抖动。对于高速信号的电平转换,需要特别关注电路的寄生参数(如寄生电容、电感)对信号的影响,选择合适的转换方案和器件,保证信号能够准确传输。
  • 驱动能力:转换后的信号要具备足够的驱动能力,以驱动后续电路正常工作。如果驱动能力不足,可能会导致信号传输距离短、无法正确驱动负载等问题 ,可以通过增加缓冲器、选择合适的电平转换芯片等方式来增强驱动能力。
  • 功耗:在一些对功耗要求较高的应用场景(如电池供电设备)中,需要选择低功耗的电平转换方案。像某些专用电平转换芯片,会有低功耗模式可供选择。

应用场景

  • 不同芯片间通信:在一个系统中,可能会用到不同工艺、不同电源电压的芯片,比如主芯片采用 3.3V 电源,而传感器芯片采用 1.8V 电源,这时就需要电平转换电路来实现它们之间的可靠通信。
  • 嵌入式系统与外设连接:嵌入式系统通常会连接各种外设,这些外设的工作电压各不相同。例如,微控制器与 LCD 显示屏连接时,若两者 IO 口电平不一致,就需要电平转换电路来适配。
  • 高速数据传输接口:像 USB、以太网等高速数据传输接口,在不同电压域的设备间进行数据传输时,也需要电平转换电路来保证信号的正确传输,并且要满足高速信号对信号完整性的严格要求。

分析一下这个电平转换电路,详细说一说转换原理

以下以一个简单的基于 N 沟道 MOS 管的电平转换电路为例进行分析:

电路结构

假设我们要实现从 1.8V 逻辑电平到 3.3V 逻辑电平的转换。电路由一个 N 沟道 MOS 管(Q1)、上拉电阻\(R_{pullup}\)(接 3.3V 电源)和下拉电阻\(R_{pulldown}\)(接 1.8V 电源地)组成。1.8V 的输入信号连接到 MOS 管的栅极(G),源极(S)接地,漏极(D)通过上拉电阻连接到 3.3V 电源,同时漏极作为输出连接到 3.3V 系统的输入。

转换原理

  • 当 1.8V 输入为低电平时(接近 0V):MOS 管的栅源电压\(V_{GS}=0V - 0V = 0V\)(源极接地),由于 N 沟道 MOS 管的开启电压\(V_{GS(th)}\)一般为正(例如 1V 左右),此时\(V_{GS}<V_{GS(th)}\),MOS 管处于截止状态。漏极通过上拉电阻\(R_{pullup}\)连接到 3.3V 电源,因此输出电平接近 3.3V,即 3.3V 系统的高电平。
  • 当 1.8V 输入为高电平时(接近 1.8V):MOS 管的栅源电压\(V_{GS}=1.8V - 0V = 1.8V\),如果\(V_{GS}\)大于 MOS 管的开启电压\(V_{GS(th)}\),MOS 管导通。此时漏极通过导通的 MOS 管接地,输出电平接近 0V,即 3.3V 系统的低电平。

通过这种方式,实现了 1.8V 逻辑电平到 3.3V 逻辑电平的转换。对于反向转换(3.3V 到 1.8V),可以采用类似的原理,使用 P 沟道 MOS 管或者调整电路连接方式。

需要注意的是,在实际应用中,还需要考虑 MOS 管的选型(如开启电压、导通电阻等参数)、电阻的取值(影响上拉 / 下拉速度和功耗)以及信号的传输延迟等因素,以确保电平转换的可靠性和稳定性。

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