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英诺赛科推出BMS方案，搭载100V双向导通VGaN

news 2025/7/17 1:00:43

BMS 俗称电池保姆或电池管家，主要是为了智能化管理及维护各个电池单元，防止电池出现过充电和过放电，保障电池安全使用的同时延长使用寿命。

当前市面上出现的电池管理系统大多数采用 Si MOS，由于 Si MOSFET 具有寄生二极管，必须成对使用，才能进行充电电流、放电电流的控制。针对 BMS 应用领域，英诺赛科开发了 48V/120A BMS 评估板（INNDBMS120LS1），采用新品 100V 双向导通芯片 VGaN 实现充放电控制与保护，大幅减少 PCB 占板面积，降低系统成本。

一、BMS 方案优势

小体积

65mm*180mm，PCB占板面积及PCB成本比Si MOS降低40%;

兼容性

采用目前主流的低边AFE进行充放电控制，使用专门设计的逻辑转换电路兼容当前Si方案的CHG/DSG控制逻辑;

散热性能好

综合考虑VGaN的封装特点，优化PCB布局，实现最佳散热性能;

双向导通

英诺赛科 VGaN（INV100FQ030A）以一颗替代两颗 Si MOS，降低成本。

二、BMS 系统框图

实现 BMS 系统功能的关键

VGaN INV100FQ030A 是英诺赛科自研的新型功率器件，采用 4mmx6mm FCQFN 封装，支持双向导通，双向截止，导通电阻仅为 100V/3.2mΩ，同时具备无反向恢复、超低栅极电荷等特性。

在 BMS 应用中，当系统需要正常充电或者正常放电时，通过在 Gate-D1 或者 Gate-D2 之间施加 5V 驱动电压，可以将 VGaN 完全打开，实现系统充电或者放电; 当系统需要充电保护或者放电保护时，VGaN 的 Gate 信号可以被主动连接到D1或D2，实现系统充电关断或者放电关断，同时利用 VGaN 的“体二极管”特性，电路可以实现充电保护后放电，或者放电保护后充电; 因而可以实现一颗 VGaN 替换一对 CHG、DSG MOS 的功能。

在同等 100A 负载电流情况下， Si MOS 串并联的 BMS 方案需要20颗器件实现，而采用 VGaN 的 BMS 方案 INNDBMS120LS1 仅需8颗即可满足 100A温升需求，器件数量减少了一半以上，在热性能上优势显著。