NCD57080CDR2G 安森美onsemi 通用驱动器, SOIC, 8针, 20V电源, 8 A输出NCD57080CDR2电流隔离式栅极驱动器

NCD57080CDR2G 是 安森美 （ON Semiconductor）推出的高电流隔离栅极驱动器，主要用于快速开关功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 电源开关，适用于以下场景：

电机控制
驱动功率半导体器件（如IGBT、MOSFET），实现电机的高效控制。 ‌
工业电源与 太阳能逆变器
应用于工业电源系统及太阳能逆变器，保障电力转换的稳定性和效率。 ‌
电子
支持汽车电子系统中的功率模块控制，满足高可靠性要求。 ‌
暖通空调 （HVAC）
用于调节温度控制设备中的电力调节，优化能源管理。 ‌
该器件具有1通道隔离设计，可承受3750Vrms隔离电压，工作温度范围为-40°C至125°C，适用于快速开关场景

NCD57080A、NCD57080B和NCD57080C是具有3.75kVrms内部电隔离的大电流单通道IGBT栅极驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。这些器件接受互补输入，并根据引脚配置提供有源米勒钳位（NCD57080A）、负电源（NCD5780B）和单独的高和低（OUTH和OUTL）驱动器输出（NCD5080C）等选项，以方便系统设计。NCD57080（A/B/C）可适应3.3V至20V的宽范围输入偏置电压和信号电平。NCD57800（A/B/S）采用窄体SOIC-8封装

典型应用

•电机控制

•不间断电源（UPS）

•工业电源
•暖通空调

NCD57080CDR2G 是一款大电流 IGBT栅极驱动器 ，主要特点如下：

隔离性能
采用3.75kVrms内部电隔离技术，确保高可靠性，适用于高电压、高电流场景。 ‌
电流与电压范围
‌   •输出电流‌：8A峰值输出电流，可满足中大功率需求
‌   •输入电压‌：支持0V至32V宽范围电压，适应不同系统设计需求 ‌
响应速度
‌   •上升/下降时间‌：典型值13ns，兼顾快速切换与电磁抗扰性
•‌共模瞬变抗扰度‌：最小100kV/µs，提升系统稳定性 ‌
工作环境
•工作温度范围覆盖-40°C至125°C，支持表面贴装或8-SOIC封装，适合工业级应用。 ‌
•该驱动器广泛应用于电机控制、工业电源、太阳能逆变器等高功率场景，兼具成本效益与性能优势

特点

•高峰值输出电流（+6.5 A/-6.5 A）

•低箝位电压降消除了对负电源的需求，以防止杂散栅极导通（NCD57080A）

•具有精确匹配的短传播延迟
•短路时IGBT栅极箝位

•IGBT栅极有源下拉

•偏置灵活性的严格UVLO阈值

•宽偏置电压范围，包括负V

•3.3V、5V和15V逻辑输入

•3.75kVrms电隔离

•高瞬态抗扰度（NCD57080B）

•高电磁抗扰度