仿真电路：（十七下）DC-DC升压压电路原理简单仿真
1.前言
升压的环境用的没降压的多，但是升压会用在LED的很多电路上，所以理解一下原理
2.DC-DC升压原理简单仿真
升压原理
下面还是对升压进行简单的仿真
拓扑结构以及原理和降压还是很相似的，只是位置不太一样，过程推导就不推导了，其中伏秒平衡比较重要，网上教程比较多，主要学习一下大致的原理。
MOS管导通时：只有下图的红圈回路导通，给电感充电，电感会生成反向电动势。
MOS管关断时；就会有下图红圈的回路导通，电容上的电压就是加在负载电阻上的电压，电容上电流比较难讨论，我也不是很理解，不做讨论，最好有大佬来解惑，这个时候输出电压不仅有电源电压，还有电感生成的电压，所以就升压了，升压的值就是根据伏秒平衡可以计算出来，我这里直接给出公式Vout=Vin/（1-D），D值得是PWM的占空比，图片中占空比为1/3。
仿真结果
先看一下输出电压，确实是在7V左右，因为还有个二极管的压降，所以比理论计算出来的电压要小0.4-0.6V左右，电感电流方波充放电波形对比，可以看出充放电正好对应PWM开关时，Vd是电感与二极管节点处的电压，可以看到与理论还是很接近的，
这种电感充放电没有到0A的地方叫做连续导通模式（CCM）。
下面是整体的仿真，可以仿真刚开始的时候是会有一段非稳态的时间，我理解的话就是充放电还没达到一个平衡。
以上为LTspice仿真。
仿真途中想到Pspcie仿真的例子里好像就有升压，打开看了一眼刚好是断续导通（DCM）的升压电路，如下图所示 ，电感上的电流有到0A的情况，可以看到D点处的电压可能会有震荡产生，但具体好坏以及作用不了解。
3.实际芯片升压
随便选了一个adi的芯片，仿真如下图，可以看到前期也是有一段非稳态的时间的
4.结尾
实际仿真的时候还是出了很多问题的，比如里面的关键电感电阻电容选什么量级的，其实对仿真结果都会有变化，也对实际理解有点作用，还是比较推荐自己仿真试试的。