工作笔记-----存储器类型相关知识

工作笔记-----存储器类型相关知识

@@ Author: 明月清了个风

@@ Date： 2025.7.30

@@ Ps: 将常见存储器类型及简称记录在此，方便查阅，图片及内容大部分来自野火的教程，特在此声明。

1. RAM(Random Access Memory)，随机存储器：指在其内部读取任意地址的数据，耗时都相同。

   • DRAM(Dynamic RAM),动态随机存储器

     存储单元以电容的电荷表示数据，有电荷为1，无电荷为0，但是$Q_1$电容会被接地的$C_s$电容放电，因此需要定期刷新，这就是“动态的含义”。

     

     根据DRAM的通讯方式，分为同步和异步两种，根据通讯时是否需要使用时钟信号来区分

     • SDRAM(Synchronous DRAM),同步动态随机存储器，如图，黄色标出为时钟上升沿表示的有效数据，一个时钟周期传输一个数据。

       

     • DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM),存储特性与SDRAM一致，但是SDRAM指在上升沿白哦是有效数据，一个时钟周期只能表示1个有效数据；DDR SDRAM在上升沿及下降沿各表示1个数据，提高了一倍的速度。

   • SRAM(Static RAM),静态随机存储器

     SRAM通过锁存器来存储数据，不需要定时刷新，断电了数据还是会丢失。

     根据通讯方式也可以分为同步(SSRAM)和异步SRAM。

     

2. ROM(Read Only Memory)，只读存储器，一般用于代指非易失性半导体存储器。

   • MASK ROM，正宗只读存储器，生产后就不能修改
   • OTP ROM(One Time Programable ROM)，一次可编程存储器，只能写入一次，可存储密钥。
   • EPROM(Erasable Programmable ROM)，可重复擦写的存储器，但需要特殊特备，已淘汰
   • EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)，电可擦除存储器，可通过电路控制重复擦写

3. FLASH存储器（闪存）—一般比ROM大很多

   根据存储单元电路的不同，分为NOR FLASH和NAND FLASH

   

   NOR和NAND特性的差别，主要是其内部“地址/数据线”是否分开导致的。

   由于NOR的地址线和数据线分开，可以按“字节”读写数据，符合CPU的指令译码要求，如果CPU给NOR一个地址，NOR就能返回一个数据让CPU执行，不需要额外的操作；而NAND只能按“块”来读写数据，如果NAND上存储了代码指令，CPU给其地址后，它无法之际返回该地址的数据，因此不符合指令译码要求。XIP（Execute In Place）描述的就是这种特性。

   因此，NOR FLASH一般应用在代码存储的场合，如嵌入式内部的程序存储空间；而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合，比如SD卡，U盘及固态硬盘。