【氮化镓】不同偏压应力下电荷俘获效应导致的P-GaN HEMT阈值电压不稳定性

2022年12月7日，意大利国家研究委员会微电子与微系统研究所的Giuseppe Greco等人在《Applied Physics Letters》期刊发表了题为《Threshold voltage instability by charge trapping effects in the gate region of p-GaN HEMTs》的文章，基于对p-GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）在不同偏置应力条件下的栅极电流密度监测，研究了其阈值电压不稳定性，实验结果表明，阈值电压的不稳定性源于金属/p-GaN/AlGaN/GaN系统中不同界面处的电荷俘获效应，且在不同应力偏置水平下，电子（VG < 6 V）或空穴（VG > 6 V）的俘获会导致阈值电压正向或负向漂移，该研究结果对提高p-GaN HEMTs的可靠性和稳定性具有重要意义。

本文的关键性结论如下：

1. 阈值电压