台积电（TSMC）工艺库命名规则
tcb_n12ffcll_bwp_6t_20_p96_cpd_lvt_tt0p8v25c_hm_lvf_p_ccs
1. 文件名分段解析
| 字段 | 含义 | 补充说明 |
|---|---|---|
tcb | TSMC标准单元库（TCBN = TSMC Cell Library, Base Node） | 通常用于标识基础标准单元库，区别于IO库（tciobn）或模拟库（tcap）。 |
n12ffcll | 12nm FinFET工艺（FFCLL = FinFET Compact Low Leakage） | ff表示Fast-Fast工艺角（高性能），cll表示低泄漏（Compact Low Leakage），用于低功耗设计。 |
bwp | 单元架构代码（Body-Biased Well-Provided） | 表示Tapless库（无衬底接触），需外部插入Well Tap Cell，节省面积。 |
6t | Track Height |