[深入理解SSD系列 闪存实战2.1.8] NAND FLASH Multi Plane Program（写）操作_multi plane 为何能提高闪存速度

前言

上一篇我们介绍了 [深入理解SSD系列 闪存实战2.1.7] NAND FLASH基本编程（写）操作及原理_NAND FLASH Program Operation 源码实现。这只是一次对单个plane 写， 按这样的话， 要先program plane 0 完成后， 再 program plane 1。 如果我偷偷告诉你， 两个 plane 可以一起 program, 你会不会很开心， 这样可以缩短program 时间。这便是本文介绍的 multi program 操作。

Multi Plane 简介

每个NAND Flash的逻辑单元LUN（图中Chip）都被划分为多个物理planes，以前常见的每个LUN有 2 plane, 称为 two plane program. 现在常见的是 4 plane program, 甚至还有 6 plane program的, 都属于 multi plane program.

每个plane都拥有独立于其他plane的一个cache寄存器和一个Cache寄存器（。每个plane通过block地址的低阶地址（见下图Note 4 BA[7] 说明）寻址。

每个NAND Flash LUN (logical unit)被划分为多个物理平面&