拉扎维模拟CMOS集成电路设计西交张鸿老师课程P10~13视频学习记录
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p10
短沟道，除了沟长调，还可能出现速度饱和问题；
但是在拉扎维这本书里面没有考虑这个问题，还是认为工作在弱反或者强反；
但是在一些先进工艺，或者高速的IO电路中，确实可能存在速度饱和的问题，此时就需要采用更长的L等措施；
速度饱和会导致管子的gm不变，成为常数；
还提到一点，就是薄氧管和厚氧管，一般数字的选择前者，模拟的选择后者；
吉尔伯特单元；
用作混频器的时候；
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p11
电流镜
为了解决上述基础电流镜中存在的这种问题，引入了cascode电流镜；
为了获得经过的复制电流值，将消耗更大的输出电压范围，如下，一个阈值电压500-700mv，太大了；
鉴于此，如果不需要严格保证Vx=Vy的话，这里可以；
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p12
CMRR and bias
5管OTA的共模特性；
5T与全差动对的对比
共模波动，CMRR，共模抑制比；
电源波动，PSRR，电源抑制比；
5管OTA的CMRR\PSRR均比全差动对要差；
偏置电路
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p13
此时就需要产生这个偏置电压；
但是这两中根本不靠谱，所以还是看下面这两种电路；
更精确的一种方法，拉扎维的图5.19；
还有一种专用在差动对的，不用cascode；
5管OTA，或者叫有源电流镜
其实是将电流镜作为差动对的负载；
所以还是那个问题，Id4想增加，Id2想减小；
之前说过的，一山不容二虎，此时需要迁就电流小的，所以M4就没法提供Id4想要的大电流；
此时会导致Vout上升，进而减小Vds，M4管进入线性区;
下面先进性大信号分析；
大信号，分析输出范围，希望在该共模电平下，所有管子都在饱和区；
有点类似右边的 半个电路的 等效；