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2ED2410-EM:12v / 24v智能模拟高侧MOSFET栅极驱动器

概述 12v / 24v智能模拟高侧MOSFET栅极驱动器。

        12v / 24v智能模拟高侧MOSFET栅极驱动器。

特性

  • PRO-SIL ISO 26262-准备根据ISO 26262:2018条款8-13支持硬件元件评估的集成商。
  • 一个通道器件具有两个高侧栅极驱动器输出。
  • 3 Ω下拉,50 Ω上拉,用于快速开关开/关。
  • 支持背靠背MOSFET拓扑(共漏极和共源)。
  • 两个双向高侧模拟电流检测接口,外部可调增益。
  • 过流/短路保护可调。
  • 多功能比较器实现:可调l-t线保护,过压/欠压或过温保护。

潜在的应用

  • 针对大电流应用的操作电源失败。
  • 电源之间的连接/隔离开关(例如用于混合动力和电动汽车)。
  • 开发支持可靠的电力供应和分配。

产品验证

  • 适用于汽车应用。产品通过AEC-Q100一级认证。
http://www.lryc.cn/news/189342.html

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