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二、PV输入升压电路

一、结构拓扑

BOOST升压电路,采用两个IGBT并联分流模式来承受大电流,二极管整流。输出端并联大耐压小容值陶瓷电阻,利用低等效串联电阻(ESR)和优异的高频响应特性,滤除电源或信号中的高频噪声(如开关电源中的纹波),提升信号纯净度。再后面并联薄膜电容,薄膜电容(尤其是聚丙烯材质)对10MHz以上的超高频噪声呈现极低阻抗,能有效滤除开关管动作产生的尖峰电压和电磁干扰(EMI),使输出电压更平滑。其次​​配合电解电容使用​​:常与铝电解电容并联,电解电容处理低频纹波(如100kHz以下),薄膜电容则负责高频段,形成全频段滤波网络。

二、升压电路中IGBT驱动电路

驱动芯片采用隔离光耦驱动芯片TLP5754,其引脚分布如下:

引脚编号符号功能说明
​1​Anode输入侧发光二极管(LED)正极,一般借PWM控制信号
​2​N.C.空脚(不连接)
​3​Cathode输入侧发光二极管(LED)负极一般接地
​4​GND输出侧接地引脚
​5​VO输出信号引脚(驱动功率器件)
​6​VCC输出侧电源正极(供电范围 15~30V)

驱动电路配置:

1.图中电容的作用主要有以下几点:

根据下面电容的功能,C1、C2和C4、C5为解耦电容,抑制高频噪声和电压跌落。C6、C7为加速电容,缩短IGBT的开通与关断时间,降低开关损耗的作用,还有保持驱动脉冲完整性的作用。C3确保PWM信号完整传输。正负电源信号之间加电容是为了稳定供电电压、滤除噪音、提供瞬时电流、降低功耗。

1.IGBT驱动电路中的电容是​​动态保护者​​与​​性能优化器​​:

  • ​缓冲/吸收​​选高压薄膜电容(耐压、dV/dt能力优先);
  • ​栅极加速/去耦​​用MLCC(低ESR、贴近布局);
  • ​米勒抑制​​需GE间小电容(1~3 nF)配合负偏压。
    实际设计中需综合开关频率、寄生参数及散热约束,通过SPICE仿真验证电容参数(如LTspice优化RC缓冲网络),并在PCB布局中遵循 ​​“短路径、低电感”​​ 原则,方可最大化系统可靠性
  • 抑制开关过压​
    IGBT关断时,电路中的寄生电感(如引线电感)会因电流突变(di/dt)产生高压尖峰。缓冲电容(通常为RC网络)通过提供低阻抗路径,吸收电感储能,将电压尖峰限制在IGBT的安全工作区内(SOA),避免击穿损坏​​。电容选型​​:需耐高压(如母线电压1.5~2倍)、高dV/dt能力(>3000 V/μs)。聚丙烯薄膜电容(如DPP型)因低损耗和自愈特性成为首选,适用于工业逆变器和新能源车载系统。
  • 加速开关过程​

    • ​加速电容​​:并联在栅极电阻(Rg​)两端,利用电容瞬时充放电特性,补偿驱动回路的感性延迟,缩短开关时间(典型值0.1~10 nF)。例如,开通时快速提升栅压,关断时加速电荷泄放,降低开关损耗30%以上。
    • ​死区时间优化​​:调整电容容值可微调死区电压,避免桥臂直通。
  • ​驱动信号完整性​
    在隔离驱动(如脉冲变压器)中,电容(如C1)旁路高频分量,确保PWM信号完整传输,避免因变压器电感导致波形畸变。

  • 2.电源去耦与噪声抑制​

  • ​驱动电源稳压​

    • ​去耦电容​​:在驱动芯片电源引脚(VCC/GND)并联多层陶瓷电容(MLCC,如0.1 μF)和电解电容(如10 μF),形成低阻抗路径,抑制高频噪声和电压跌落。
    • ​布局关键​​:电容需贴近驱动IC引脚(<1 cm),减少走线电感。例如,M57962L驱动器的VCC引脚需配置100 μF铝电解电容+100 nF陶瓷电容组合。
  • ​抗地弹(Ground Bounce)​
    旁路电容(靠近IGBT的G/E引脚)补偿封装寄生电感引起的地电位抬升,维持栅极电压稳定,防止误触发。

  • 3.​​米勒效应抑制与误导通防止​

  • ​抑制 Cgc​ 耦合效应​
    IGBT的集-栅电容(Cgc​)在高 dV/dt 下将集电极电压耦合至栅极,可能导致误导通。GE间并联电容(Cge​,1~3 nF)可降低栅极阻抗,吸收耦合电流,典型应用如半桥拓扑中的低侧IGBT保护。

    • ​取值约束​​:Cge​ 过大会增加关断损耗,需满足 Rg​⋅Cge​<20 ns(Rg​ 为栅极电阻)。
  • ​负偏压关断辅助​
    负偏压(如-5 V~-15 V)配合 Cge​ 电容,进一步抵消耦合电压,提升抗干扰能力(如电机驱动中的高频噪声环境)。、

  • 2.电阻的作用

  • 1.栅极G和射极E之间的几十k电阻作用

  • 在考虑对IGBT保护设计的时候,有一种情况IGBT比较容易损坏,就是门极电平悬空的时候,IGBT集电极有高电压接通,因为IGBT米勒电容的作用,会导致IGBT误导通,有烧坏IGBT的风险,如果GE间接个十几K的电阻,可以给米勒电容提供释放通道,不会引起IGBT误导通;在IGBT驱动电路中GE间经常接个十几K的电阻时为了驱动电路没用通电或者不起作用时,给IGBT的C极通高压不会造成IGBT误导通,阻值不能大小,否则会延长开通时间,增加IGBT的开关损耗,阻值太大了降低应有的作用。

  • 2.RG电阻的作用

三、驱动供电电源 

本驱动电源和平衡桥驱动电路电源一同从12V主辅源绕组引来,因此该部分与下一篇平衡桥电路的驱动电源一起分析。

http://www.lryc.cn/news/596629.html

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