二、PV输入升压电路
一、结构拓扑
BOOST升压电路,采用两个IGBT并联分流模式来承受大电流,二极管整流。输出端并联大耐压小容值陶瓷电阻,利用低等效串联电阻(ESR)和优异的高频响应特性,滤除电源或信号中的高频噪声(如开关电源中的纹波),提升信号纯净度。再后面并联薄膜电容,薄膜电容(尤其是聚丙烯材质)对10MHz以上的超高频噪声呈现极低阻抗,能有效滤除开关管动作产生的尖峰电压和电磁干扰(EMI),使输出电压更平滑。其次配合电解电容使用:常与铝电解电容并联,电解电容处理低频纹波(如100kHz以下),薄膜电容则负责高频段,形成全频段滤波网络。
二、升压电路中IGBT驱动电路
驱动芯片采用隔离光耦驱动芯片TLP5754,其引脚分布如下:
引脚编号 | 符号 | 功能说明 |
---|---|---|
1 | Anode | 输入侧发光二极管(LED)正极,一般借PWM控制信号 |
2 | N.C. | 空脚(不连接) |
3 | Cathode | 输入侧发光二极管(LED)负极一般接地 |
4 | GND | 输出侧接地引脚 |
5 | VO | 输出信号引脚(驱动功率器件) |
6 | VCC | 输出侧电源正极(供电范围 15~30V) |
驱动电路配置:
1.图中电容的作用主要有以下几点:
根据下面电容的功能,C1、C2和C4、C5为解耦电容,抑制高频噪声和电压跌落。C6、C7为加速电容,缩短IGBT的开通与关断时间,降低开关损耗的作用,还有保持驱动脉冲完整性的作用。C3确保PWM信号完整传输。正负电源信号之间加电容是为了稳定供电电压、滤除噪音、提供瞬时电流、降低功耗。
1.IGBT驱动电路中的电容是动态保护者与性能优化器:
- 缓冲/吸收选高压薄膜电容(耐压、dV/dt能力优先);
- 栅极加速/去耦用MLCC(低ESR、贴近布局);
- 米勒抑制需GE间小电容(1~3 nF)配合负偏压。
实际设计中需综合开关频率、寄生参数及散热约束,通过SPICE仿真验证电容参数(如LTspice优化RC缓冲网络),并在PCB布局中遵循 “短路径、低电感” 原则,方可最大化系统可靠性 - 抑制开关过压
IGBT关断时,电路中的寄生电感(如引线电感)会因电流突变(di/dt)产生高压尖峰。缓冲电容(通常为RC网络)通过提供低阻抗路径,吸收电感储能,将电压尖峰限制在IGBT的安全工作区内(SOA),避免击穿损坏。电容选型:需耐高压(如母线电压1.5~2倍)、高dV/dt能力(>3000 V/μs)。聚丙烯薄膜电容(如DPP型)因低损耗和自愈特性成为首选,适用于工业逆变器和新能源车载系统。 -
加速开关过程
- 加速电容:并联在栅极电阻(Rg)两端,利用电容瞬时充放电特性,补偿驱动回路的感性延迟,缩短开关时间(典型值0.1~10 nF)。例如,开通时快速提升栅压,关断时加速电荷泄放,降低开关损耗30%以上。
- 死区时间优化:调整电容容值可微调死区电压,避免桥臂直通。
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驱动信号完整性
在隔离驱动(如脉冲变压器)中,电容(如C1)旁路高频分量,确保PWM信号完整传输,避免因变压器电感导致波形畸变。 -
2.电源去耦与噪声抑制
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驱动电源稳压
- 去耦电容:在驱动芯片电源引脚(VCC/GND)并联多层陶瓷电容(MLCC,如0.1 μF)和电解电容(如10 μF),形成低阻抗路径,抑制高频噪声和电压跌落。
- 布局关键:电容需贴近驱动IC引脚(<1 cm),减少走线电感。例如,M57962L驱动器的VCC引脚需配置100 μF铝电解电容+100 nF陶瓷电容组合。
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抗地弹(Ground Bounce)
旁路电容(靠近IGBT的G/E引脚)补偿封装寄生电感引起的地电位抬升,维持栅极电压稳定,防止误触发。 -
3.米勒效应抑制与误导通防止
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抑制 Cgc 耦合效应
IGBT的集-栅电容(Cgc)在高 dV/dt 下将集电极电压耦合至栅极,可能导致误导通。GE间并联电容(Cge,1~3 nF)可降低栅极阻抗,吸收耦合电流,典型应用如半桥拓扑中的低侧IGBT保护。- 取值约束:Cge 过大会增加关断损耗,需满足 Rg⋅Cge<20 ns(Rg 为栅极电阻)。
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负偏压关断辅助
负偏压(如-5 V~-15 V)配合 Cge 电容,进一步抵消耦合电压,提升抗干扰能力(如电机驱动中的高频噪声环境)。、 -
2.电阻的作用
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1.栅极G和射极E之间的几十k电阻作用
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在考虑对IGBT保护设计的时候,有一种情况IGBT比较容易损坏,就是门极电平悬空的时候,IGBT集电极有高电压接通,因为IGBT米勒电容的作用,会导致IGBT误导通,有烧坏IGBT的风险,如果GE间接个十几K的电阻,可以给米勒电容提供释放通道,不会引起IGBT误导通;在IGBT驱动电路中GE间经常接个十几K的电阻时为了驱动电路没用通电或者不起作用时,给IGBT的C极通高压不会造成IGBT误导通,阻值不能大小,否则会延长开通时间,增加IGBT的开关损耗,阻值太大了降低应有的作用。
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2.RG电阻的作用
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三、驱动供电电源
本驱动电源和平衡桥驱动电路电源一同从12V主辅源绕组引来,因此该部分与下一篇平衡桥电路的驱动电源一起分析。