[特殊字符] ROM 和 RAM 知识点系统总结
📘 ROM 和 RAM 知识点系统总结（附原问题思路）
✅ 一、ROM（只读存储器）部分
🔸1. 什么是 ROM？
ROM（Read Only Memory）：非易失性存储器，断电后数据不丢失，常用于存储固化程序（如启动引导代码）。
🔸2. ROM 的分类与对比
| 类型 | 全称 | 是否可编程 | 是否可擦除 | 特点 |
|---|---|---|---|---|
| MROM | Mask ROM | ❌ | ❌ | 厂商出厂前写死，便宜但不可改 |
| PROM | Programmable ROM | ✅（一次） | ❌ | 用户可烧录一次，写错就废 |
| EPROM | Erasable PROM | ✅（多次） | ✅（紫外线） | 要用紫外线灯，擦除慢，不便捷 |
| EEPROM | Electrically EPROM | ✅ | ✅（电擦） | 可电擦，逐字节写入，速度较慢 |
| Flash ROM | 快闪存储器 | ✅ | ✅（按块擦） | 快速擦写、成本低、用得最多 |
| SSD | 固态硬盘 | ✅ | ✅ | 用Flash堆成大容量存储器，替代机械硬盘 |
🔸3. BIOS 是 ROM 吗？
✅ 是。BIOS 最初就是写在 MROM 或 EEPROM 里的程序，用于电脑开机启动、硬件初始化。
现在 BIOS 多存于 Flash ROM，可在线升级，仍然属于 ROM 类型。
✅ 二、RAM（随机访问存储器）部分
RAM 是易失性存储器，断电数据丢失，分为两种主要类型：
| 类型 | 全称 | 常见应用 |
|---|---|---|
| SRAM | Static RAM | Cache、高速寄存器 |
| DRAM | Dynamic RAM | 主存（DDR内存条） |
✅ 三、SRAM vs DRAM 核心区别
| 比较项 | SRAM | DRAM |
|---|---|---|
| 中文名 | 静态 RAM | 动态 RAM |
| 存储元结构 | 6 个 MOS 管（构成触发器） | 1 个 MOS 管 + 1 电容 |
| 是否需刷新 | ❌ 不需要 | ✅ 需要定期刷新 |
| 速度 | ✅ 极快（纳秒级） | 一般（几十纳秒） |
| 成本 | 高 | 低 |
| 存储密度 | 低 | 高 |
| 功耗 | 高 | 低 |
| 应用 | Cache、寄存器 | 主内存（RAM条） |
📌 SRAM 像记忆力强的人，不用复习；DRAM 像记性差的人，必须不断复习（刷新）以防遗忘。
✅ 四、DRAM 的刷新机制详解
🔹1. 为什么要刷新？
DRAM 使用电容存储数据，会漏电，所以每隔一定时间（一般64ms）必须刷新，否则数据丢失。
🔹2. 刷新方式分类
| 刷新方式 | 特点 | 是否常用 |
|---|---|---|
| 集中刷新 | 一次刷新全部行（中断操作） | ❌ |
| 分散刷新 | 每次刷新一行，交替进行 | ✅ 主流 |
| 异步刷新 | 控制器主动决定刷新时间 | ✅ 内存控制器采用 |
🔹3. 为什么刷新是“按行”？
- DRAM 的结构是二维数组（行×列）
- 一行共享一个字线 → 一次激活整个行的数据
- 按行刷新节省能耗，提高效率
🔹4. 刷新等于读操作吗？
✅ 本质上是“读出 → 放大 → 原样写回”的过程
不输出数据给 CPU，但内部 Sense Amp 放大器会激活。
🔹5. 刷新是由 CPU 控制的吗？
❌ 不是！刷新由内存控制器自动完成，CPU 不需参与 → 刷新对 CPU 是“透明的”。
🔹6. 是否“挨个芯片刷新”？
❌ 不是，控制器发送统一刷新命令，所有芯片同步刷新当前行。
🔹7. DRAM 为什么使用引脚复用（RAS/CAS）？
DRAM 地址很多，为节省引脚，使用地址复用技术：
| 信号线 | 作用 |
|---|---|
| RAS | 选中行地址 |
| CAS | 选中列地址 |
例：用 8 根地址线分两次传 16 位地址。
✅ 五、现在 DRAM 还常用吗？
非常常用！常见类型包括：
| 类型 | 应用 |
|---|---|
| DDR3 / DDR4 / DDR5 | PC、服务器主存 |
| LPDDR4 / LPDDR5 | 手机、平板 |
| GDDR6 | 显卡显存 |
✅ 六、复习关键词总览（备查表）
| 概念 | 内容 |
|---|---|
| ROM | 非易失性，存储程序 |
| RAM | 易失性，读写灵活 |
| BIOS | 存在Flash ROM中 |
| SRAM | 触发器构成，快、贵、用于 Cache |
| DRAM | 电容构成，慢、便宜、需刷新 |
| 刷新方式 | 分散（主流）、集中、异步 |
| 行刷新 | 按照 DRAM 行结构，批量激活 |
| RAS/CAS | 行/列地址选通，节省引脚 |
| CPU 是否控制刷新 | ❌ 刷新由控制器自动完成，CPU 不感知 |
✅ 七、思维导图（文字版）
存储器
├── ROM（非易失性）
│ ├── MROM / PROM / EPROM / EEPROM / Flash
│ └── BIOS（存在Flash ROM）
│
└── RAM（易失性）├── SRAM（高速，不刷新，用于Cache）└── DRAM（电容，需刷新，用于主存）├── 刷新原因：电容漏电├── 刷新方式：集中 / 分散 / 异步├── 单位：行刷新├── 机制：内部读 + SenseAmp + 写回├── 控制者：内存控制器└── 地址复用：RAS / CAS 引脚复用