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GR2103高压半桥栅极驱动芯片

news 2025/7/3 21:04:48

产品简介

GR2103封装和丝印

GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。

参考价格(20250117)
1+：¥0.458/个
4000+：¥0.318/个@4000 pcs/盘

产品特点

悬浮绝对电压+620V
高端输出与高端输入同相
低端输出与低端输入反相
VCC欠压保护(UVLO)
3.3V/5V输入逻辑兼容
封装形式：S0P8、S0IC8
工作电压 10V~20V
拉电流(IOH) 600uA
灌电流(IOL) 600uA
负载类型 IGBT
驱动通道数 2
驱动配置半桥

产品用途
电机驱动
DC-DC 转换器

封装形式和管脚功能定义

管脚序号	管脚定义	功能说明
1	VCC	低侧供电电压
2	HIN	高侧输入
3	LIN	低侧输入
4	GND	接地
5	LO	低侧输出
6	VS	高侧悬浮地电压
7	HO	高侧输出
8	VB	高侧悬浮绝对电压

典型应用电路

C1：电源滤波电容，根据电路情况可选择1μF~100μF，尽可能的靠近芯片管脚。
R1 R2：栅极驱动电阻，阻值根据被驱动器件而定。
D3：自举二极管，应选择高反向击穿电压的肖特基二极管。
C2：自举电容，应选择陶瓷电容或钽电容，根据电路情况可选择 1μF~50μF，电容应尽可能的靠近芯片管脚。
VCC：建议接12~15V 低压电源。
HIN、LIN̅̅̅̅̅：接逻辑控制信号。
NMOS 管:依据应用选择相应耐高压的功率器件。
注：以上线路及参数仅供参考，实际的应用电路根据实测结果设定参数。

参数名称	符号	最小值	最大值	单位
高侧浮动绝对电压	VB	VS+10	VS+20	V
高侧浮动偏移电压	VS	-5	600	V
高侧输出电压	VHO	VS	VB	V
低侧供电电压	VCC	10	20	V
低侧输出电压	VLO	0	VCC	V
逻辑输入电压	VIN	0	VCC	V
工作温度	T A	0	60	℃

电学特性参数

（TA =25C，VCC=VB=15V，VS=GND，除特别注明外。）

项目	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
高电平输入阈值电压	VIH		2.7	–	–	V
低电平输入阈值电压	VIL		–	–	0.8	V
V CC 欠压保护跳闸电压	VCCUV+		–	9.3	9.8	V
V CC 欠压保护复位电压	VCCUV-		7.3	8.8	–	V
V CC 欠压保护迟滞电压	VCCUVH		–	0.5	–	V
悬浮电源漏电流	ILK	VB =VS =180V	–	0.1	5.0	μA
V BS 静态电流	IQBS	VIN =0V 或 5V	–	–	200	μA
V CC 静态电流	IQCCL	VIN =0V	–	90	600	uA
V CC 静态电流	IQCCH	VIN = 5V	–	170	600	uA
LIN 高电平输入偏置电流	ILIN+	VLIN =0V	–	30	120	μA
LIN低电平输入偏置电流	ILIN-	VLIN =5V	–	–	2	μA
HIN高电平输入偏置电流	IHIN+	VHIN =5V	–	20	120	μA
HIN低电平输入偏置电流	IHIN-	VHIN =0V	–	–	2	μA
输出高电平电压	VOH	IO =20mA	–	0.2	0.3	V
输出低电平电压	VOL	IO =20mA	–	0.06	0.2	V
V S 静态负压	VSN		–	-6.0	–	V

交流开关特性

（T A =25℃，VCC=VB=15V，VS=GND 除非特别指定，见测试方法）

项目	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输出开延时	ton	CL=1nF	–	300	–	ns
输出关延时	toff	CL=1nF	–	130	–	ns
输出上升时间	tr	CL=1nF	–	10	–	ns
输出下降时间	tf	CL=1nF	–	10	–	ns
死区时间	DT		–	280	–	ns