VLSI超大规模集成电路设计复习

VLSI超大规模集成电路设计复习

复习可参照官网PPT上的知识点，然后根据知识点对应的去看书上的讲解。

引论

• 摩尔定律

• 尺寸缩小定律

• N、P型半导体

• 阱

• PMOS、NMOS
  

• 传输管

• 静态逻辑传输门

• 全复原门

• 德摩根定律

• NMOS传输特性（强0弱1）

• PN结

• 6层掩膜（阱、多晶硅、n+扩散、p+扩散、接触、金属）
  
  

• 版图和棒图

• 常见逻辑门结构（反相器、与非门、或非门、三态门）

• 复合门设计（互补导通）

MOS原理

• mos管工作区域
  
• I-V特性（公式）
  
  

• 静态CMOS反相器的直流特性
  
  

• β比例效应（偏斜反相器，高偏斜、低偏斜）

• 噪声容限
  

• 传输管直流特性（阈值损失）

延时

• RC延时模型

• 等效RC电路，栅电容、扩散电容
  
  

• Elmore延时

• 线性延时模型（逻辑努力、电气努力、寄生延时）
  
  

• 多级网络延时

组合逻辑

• 推气泡法
  

• 外层输入、内层输入

• 不对称门

• 偏斜门

• 最佳P\N比

• 有比逻辑门

• 伪NMOS

• 动态电路

• 足管

• 单调性

• 多米诺电路

• 双轨多米诺

• 电荷泄露（保持器）

• 电荷共享（辅助预充晶体管）

时序电路

• 时序控制方法（触发器、两相位透明锁存器、脉冲锁存器）
  
• 时序符号
  • Tc时钟周期
  • tpw脉冲宽度
  • tnonoverlap相位间隔
    
    
• 最大延时约束
• 最小延时约束
• 时间借用
• 时钟偏斜
  
• 锁存器设计
  
• 触发器设计
  

SRAM

• 存储阵列分类
  
• 存储阵列结构
  
• 6管SRAM结构、尺寸要求
  
• SRAM读、写过程

总结（一张纸）

参考资料

[1] 数字电路延时公式
[2] CMOS超大规模集成电路设计(第四版)
[3] 官网PPT
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