CFI(Common Flash Interface)简介
CFI定义了符合CFI规则设备的基本Query接口，包括已知或待拟定的flash Read/Write/Program/Erase控制接口。Query接口以结构体形式定义与flash设备相关的关键参数，但是CFI不会对单个flash设备厂家指定详细的指令集、状态轮询模式以及软件算法。
1.操作概要
设备接收到Query command code后进入Query模式，允许对CFI Query数据结构进行访问。CFI Query data structure包含16bit指令集、Control Interface ID code(控制接口)、通用flash内存参数和算法指定的数据域。
上述信息主要用于给指定的flash提供读写、擦除等操作。
2. 硬件接口
2.1 Query command interface
CFI Query结构的访问与NVM现有的”ID Mode”或”JEDEC ID”访问类似，但是使用不同的指令代码。Query 访问指令为98h，JEDEC ID 模式访问为90h。
上电后，假设NvM处于制度模式，Query 结构的内容必须能够在单个系统写周期的特定地址位置读取：1）98h被写入到设备地址空间内55h的地址位置(以最大设备总线宽度)，2)设备处于任何有效的读状态，如“读阵列”或“读ID数据”。其他设备状态可能存在于一长串命令或数据输入中;在编写98h Query命令代码产生有效的Query数据结构输出之前，必须先完成或终止这些序列。
设备驱动程序应该始终在地址总线上提供55h，在数据总线上提供98h以进入查询模式;或者Flash设备可以选择忽略地址总线并进入查询模式，如果98h只在数据总线上看到。
Flash供应商必须为其他模式访问定义其他命令序列。
2.2 Query structure output
Query 数据只在数据输出(D7 - D0)上显示。
因此，对于字节宽(x8)设备，Query结构的前两个字节，即ASCII中的“Q”和“R”，出现在设备地址10h和11h处，这与绝对字节地址相同。相同逻辑应用到x16、x32设备。下表Query数据输出的示例：
3 Query Structure
3.1 Query结构总览
| Offset | Section名称 | 描述 |
| 00h | Reserved | 指令算法信息 |
| 10h | CFI Query Identification | 命令集ID和算法数据偏移量 |
| 1Bh | System Interface Information | 设备时间、电压信息 |
| 27h | Device Geomerty Definition | Flash设备的layout |
| P | 主算法的特定扩展 | 主算法的特定扩展 |
| A | 备选算法的特定扩展 | 备选算法的特定扩展 |
3.2 CFI Query Identification
| Offset | Length （bytes） | Description |
| 10h | 03h | 三字节的“QRY”查询结构标记 |
| 13h | 02h | 两字节的主算法命令集和控制接口ID码 |
| 15h | 02h Value=P | 主算法扩展表的地址P |
| 17h | 02h | 备选算法命令集和控制接口ID码 |
| 19h | 02h Value=A | 备选算法扩展表的地址A |
3.3 System Interface Information
| Offset | Length（Bytes） | 含义 | 举例（Intel 28 F800BVT） |
| 10H | 03H | 查询ASCII字符串“QRY” | 10:0051H ‘Q’ 11:0052H ‘R’ 12:0059H ‘Y’ |
| 13H | 02H | 制造商命令集和控制接口识别码ID | 13:0003H 14:0000H |
| 1BH | 01H | 逻辑供电Vcc最小电压。位7-4：BCD伏 位3-0：BCD100毫伏 | 1B:0030H（3伏） |
| 1CH | 01H | 逻辑供电Vcc最大电压。位7-4：BCD伏 位3-0：BCD100毫伏 | 1C:0055H（5.5伏） |
| 1DH | 01H | 编程/擦除供电Vpp最小电压。位7-4：HEX伏 位3-0：BCD100毫伏 | 1D:0045H（4.5伏） |
| 1EH | 01H | 编程/擦除供电Vpp最大电压。位7-4：HEX伏 位3-0：BCD100毫伏 | 1E:00C6H（12.6伏） |
| 1FH | 01H | 典型单字节/字写周期定时时间，2Nus | 1F:0003H（3.8us） |
| 21H | 01H | 典型单块擦除定时时间，2Nms | 21:000AH（1.024s） |
| 22H | 01H | 典型整片擦除定时时间，2Nms | 22:0000H（不支持） |
| 23H | 01H | 单字节/字写周期最大定时时间，2Nx典型单字节/字写周期定时时间 | 23:0004H（24x8us） |
| 25H | 01H | 单块擦除最大定时时间，2Nx典型单块擦除定时时间 | 25:0004H（24x1.024s） |
| 26H | 01H | 整片擦除最大定时时间，2Nx典型整片擦除定时时间 | 26:0000H（不支持） |
3.4 Device geometry definition
| Offset | Length（Bytes） | 含义 | 举例（Intel 28 F800BVT） |
| 28H | 02H | Flash器件接口识别码ID | 28:0002H 29:0000H |
| 2CH | 01H | 器件可擦除块区域个数。Bit7-0=可擦除块个数 | 2C:0004H 4个擦除块 |
| 2DH | 04H | 擦除块信息域1。Bit31-16=z（高两字节表示擦除块大小对于256字节的倍数，0表示128B）。Bit15-0=y（低两字节+1表示擦除块的个数，0表示没有块） | 2D:0006H 2E:0000H 7个擦除块 2F:0000H 30:0002H 256x200H=128K字节 |
| 31H | 04H | 擦除块信息域2。 | 31:0000H 32:0000H 33:0080H 34:0001H |
| 35H | 04H | 擦除块信息域3。 | 35:0001H 36:0000H 37:0020H 38:0001H |
| 39H | 04H | 擦除块信息域4。 | 39:0000H 3A:0000H 3B:0040H 3C:0000H |
3.5 主算法的特定扩展
如下表所示：
| Offset | Length （bytes） | Description |
| Ph | 03h | 主算法扩展查询表标记字符串“PRI” |
| （P+3）h | 01h | 主版本号 |
| （P+4）h | 01h | 次版本号 |
| （P+5）h | Variable | 主算法扩展查询结构内容 |
3.6 备用算法的特定扩展
如下表所示
| Offset | Length （bytes） | Description |
| Ah | 03h | 备用算法扩展查询表标记字符串“ALT” |
| （A+3）h | 01h | 主版本号 |
| （A+4）h | 01h | 次版本号 |
| （A+5）h | Variable | 备用算法扩展查询结构内容 |
4. CFI代码示例
Std_ReturnType Fls_HwCfiQuery(uint32 CfiBaseAddr,uint8 CfiCmd, _CfiValueType *CfiValueBuf)
{Std_ReturnType retVal = E_NOT_OK;uint16 i=0;/* #10 Handle CFI query cmd */Fls_lCmdProcessing((_FLS_CFI_BASE_ADDRESS + CfiBaseAddr),CfiCmd);/* #20 Check that the CFI interface is operable */if ((Fls_lCfiReadValue(_FLS_CFI_BASE_ADDRESS + _FLS_CFI_QUERY_OFFSET_ONE) != 0x51U)||(Fls_lCfiReadValue(_FLS_CFI_BASE_ADDRESS + _FLS_CFI_QUERY_OFFSET_TWO) != 0x52U)||(Fls_lCfiReadValue(_FLS_CFI_BASE_ADDRESS + _FLS_CFI_QUERY_OFFSET_THREE) != 0x59U)){retVal = E_NOT_OK;}else{/* #30: Read the required CFI Info */for(i = 0; i < 256; i++){CfiValueBuf[i] = Fls_lCfiReadValue(_FLS_CFI_BASE_ADDRESS + (uint32)i);}retVal = E_OK;}return retVal;