【STM32】嵌入式（片上）Flash的读写（以STM32F407ZGT6为例，HAL库）

一、嵌入式Flash的主要特性以及模块构成

1.主要特性

图源：STM32F4xx中文参考手册 p59

        在参考手册中，我们可以了解到，Flash由四部分构成：主存储器块，系统存储器，OTP与选项字节。根据自举模式的选择，可以将程序下载到主存储器块或系统存储器块。

         所以，当我们选择主Flash或系统存储器作为自举空间时，程序都会保存到嵌入式Flash中，并在其上运行。

        为了提高Flash读取指令的效率，嵌入式Flash提供了自适应实时存储器加速器 (ART Accelerator™)。该加速器通过预读取128位指令的方式，提升程序运行的速度。

 图源：STM32F4xx中文参考手册 p62

        在CubeMX生成的代码中，HAL_Init已经帮我们实现了这项功能。

 2.模块构成

        下表展示了嵌入式Flash四个块的空间大小以及地址。（注意，不同型号的嵌入式Flash会有不同。例如，F103型号的嵌入式Flash的读写最小单位是页，总内存是64KB或128KB） 

图源：STM32F4xx中文参考手册 p59 

        当选择主Flash为自举空间时，程序就会下载到主存储器中。然而，主存储器共有1MB的内存，只存储程序会造成空间的浪费。因此，当RAM不够用时，可以将常量存在主存储器中（注意，这里必须是常量，因为只有常量区和代码区才存储在Flash中。有关这部分的内容，可以看我的另一篇文章）；也可以将主存储器视为EEPROM，自己向主存储区中读写数据（区别在于EEPROM通过电路结构实现擦除，而读写嵌入式Flash需要自行擦除）。

二、嵌入式Flash的读写函数（HAL库）

1.读写函数涉及到的结构体

/*stm32f4xx_hal_flash_ex.h*/
/*** @brief  FLASH Erase structure definition*/
typedef struct
{uint32_t TypeErase;   /*!< Mass erase or sector Erase.This parameter can be a value of @ref FLASHEx_Type_Erase */uint32_t Banks;       /*!< Select banks to erase when Mass erase is enabled.This parameter must be a value of @ref FLASHEx_Banks */uint32_t Sector;      /*!< Initial FLASH sector to erase when Mass erase is disabledThis parameter must be a value of @ref FLASHEx_Sectors */uint32_t NbSectors;   /*!< Number of sectors to be erased.This parameter must be a value between 1 and (max number of sectors - value of Initial sector)*/uint32_t VoltageRange;/*!< The device voltage range which defines the erase parallelism